Samsung начала производство модулей на 512 ГБ для смартфонов
Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в индустрии модулей eUFS объемом 512 гигабайт для мобильных устройств следующего поколения.
Такие модули памяти ориентированы на флагманские смартфоны и планшеты. Встраиваемые модули флеш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) используют 64-слойные 512-гигабитные чипы V-NAND. Как отмечает производитель, они вдвое превышают плотность прошлых модулей eUFS на 256 ГБ с 48-слойными чипами V-NAND, обеспечивая двойную ёмкость при сохранении занимаемого пространства.
Скорость последовательного чтения и записи составляет 860 МБ/с и 255 МБ/с, соотвественно. Для произвольных операций, новые eUFS обеспечивают 42 000 IOPS ( операций ввода-вывода в секунду) при чтении и 40 000 IOPS при записи. Это примерно в 400 раз быстрее скорости в 100 IOPS у обычных карт microSD.
Похожие записи:
- Глава Samsung поделился подробностями о первом сгибающемся смартфоне
- Глава Xiaomi рассекретил гигантский Mi Max 3 накануне анонса
- Цифра дня: Сколько заплатила Google за найденные уязвимости в Android?
- Самый дорогой и самый доступный iPhone 2018 показались на живых фото
- Обзор смартфона TECNO CAMON 15 Pro: уже выдвигаюсь
- Android 8.0 Oreo унаследовала проблемы с Bluetooth у Nougat
- Смарт-часы Apple Watch получили вертикальный ночной режим и возможность управлять музыкой на iPhone
Свежие комментарии