Samsung начала массовое производство по 10-нм техпроцессу FinFET второго поколения
Компания Samsung Electronics объявила о начале производства однокристальных систем по 10-нанометровому техпроцессу FinFET второго поколения.
Первое поколение 10-нанометрового техпроцесса FinFET используется во флагманских чипах Exynos 8895 и Qualcomm Snapdragon 835. Как отмечает разработчик, техпроцесс 10LPP (Low Power Plus) с улучшенной структурой 3D FinFET позволяет на 10% повысить производительность и на 15% снизить энергопотребление устройств по сравнению с первым поколением 10LPE (Low-Power Early).
Первые устройства на основе 10LPP-процессоров запланированы к выпуску в начале 2018 года. Как ожидается, Samsung Galaxy S9 и Galaxy S9+ станут первыми и на некоторое время единственными смартфонами на базе 10-нанометрового Qualcomm Snapdragon 845. Первая партия нового чипа будет использована в Galaxy S9 для США, а для остальных регионов в основу Galaxy S9 ляжет фирменный 10-нанометровый Exynos 9810.
Похожие записи:
- iPhone X загорелся с оригинальной зарядкой Apple
- Характеристики Xiaomi Mi 8 утекли в сеть за неделю до анонса
- Samsung Galaxy S10 выйдет в двух версиях с экранным сканером отпечатков пальцев
- Смартфон Xiaomi Mi A1 начал получать бета-версию Android 8.0 Oreo
- Представлена первая в мире карта microSD объёмом 512 ГБ
- Стартовали продажи премиального флагмана Sony за 80 тысяч рублей
- Стартовал предзаказ на Samsung Galaxy S9 и S9+
Свежие комментарии