Samsung начала массовое производство по 10-нм техпроцессу FinFET второго поколения
Компания Samsung Electronics объявила о начале производства однокристальных систем по 10-нанометровому техпроцессу FinFET второго поколения.
Первое поколение 10-нанометрового техпроцесса FinFET используется во флагманских чипах Exynos 8895 и Qualcomm Snapdragon 835. Как отмечает разработчик, техпроцесс 10LPP (Low Power Plus) с улучшенной структурой 3D FinFET позволяет на 10% повысить производительность и на 15% снизить энергопотребление устройств по сравнению с первым поколением 10LPE (Low-Power Early).
Первые устройства на основе 10LPP-процессоров запланированы к выпуску в начале 2018 года. Как ожидается, Samsung Galaxy S9 и Galaxy S9+ станут первыми и на некоторое время единственными смартфонами на базе 10-нанометрового Qualcomm Snapdragon 845. Первая партия нового чипа будет использована в Galaxy S9 для США, а для остальных регионов в основу Galaxy S9 ляжет фирменный 10-нанометровый Exynos 9810.
Похожие записи:
- Китайцы показали Xiaomi Redmi Note 5
- Google исправила проблему с голосовым Ассистентом на Android Wear
- Tele2 предлагает обменивать оплаченные минуты на интерне-трафик
- iOS 12 добавит анимированные эмодзи в FaceTime
- Обзор смартфона Xiaomi Mi 9: кандидат от народа
- Android 8.1 Oreo показывает скорость сетей Wi-Fi до подключения
- Покупатели всё чаще выбирают восстановленные смартфоны вместо новых
Свежие комментарии