Samsung начала массовое производство по 10-нм техпроцессу FinFET второго поколения
Компания Samsung Electronics объявила о начале производства однокристальных систем по 10-нанометровому техпроцессу FinFET второго поколения.
Первое поколение 10-нанометрового техпроцесса FinFET используется во флагманских чипах Exynos 8895 и Qualcomm Snapdragon 835. Как отмечает разработчик, техпроцесс 10LPP (Low Power Plus) с улучшенной структурой 3D FinFET позволяет на 10% повысить производительность и на 15% снизить энергопотребление устройств по сравнению с первым поколением 10LPE (Low-Power Early).
Первые устройства на основе 10LPP-процессоров запланированы к выпуску в начале 2018 года. Как ожидается, Samsung Galaxy S9 и Galaxy S9+ станут первыми и на некоторое время единственными смартфонами на базе 10-нанометрового Qualcomm Snapdragon 845. Первая партия нового чипа будет использована в Galaxy S9 для США, а для остальных регионов в основу Galaxy S9 ляжет фирменный 10-нанометровый Exynos 9810.
Похожие записи:
- Флагманский смартфон-слайдер Honor Magic 2 засветился в бенчмарках
- HTC показала безрамочный смартфон U12 до анонса
- Смартфон Huawei Honor 8 получит возможности EMUI 8.0, но без Oreo
- Новый безрамочник Vivo оценен дешевле 10 тысяч рублей
- Oppo выпустила большой смартфон для конкуренции с Xiaomi
- Lenovo представила джедайский комплект дополненной реальности Star Wars: Jedi challenges
- Операторов заставят перейти на SIM-карты c российским шифрованием
Свежие комментарии