Samsung начала массовое производство по 10-нм техпроцессу FinFET второго поколения
Компания Samsung Electronics объявила о начале производства однокристальных систем по 10-нанометровому техпроцессу FinFET второго поколения.
Первое поколение 10-нанометрового техпроцесса FinFET используется во флагманских чипах Exynos 8895 и Qualcomm Snapdragon 835. Как отмечает разработчик, техпроцесс 10LPP (Low Power Plus) с улучшенной структурой 3D FinFET позволяет на 10% повысить производительность и на 15% снизить энергопотребление устройств по сравнению с первым поколением 10LPE (Low-Power Early).
Первые устройства на основе 10LPP-процессоров запланированы к выпуску в начале 2018 года. Как ожидается, Samsung Galaxy S9 и Galaxy S9+ станут первыми и на некоторое время единственными смартфонами на базе 10-нанометрового Qualcomm Snapdragon 845. Первая партия нового чипа будет использована в Galaxy S9 для США, а для остальных регионов в основу Galaxy S9 ляжет фирменный 10-нанометровый Exynos 9810.
Похожие записи:
- Рассекречены параметры «пугающего» смартфона Huawei
- Смартфоны Pixel 3 и Pixel 3 XL продолжат обновляться до Android S 12
- Безрамочный Huawei Honor 7 оценен дешевле 100 долларов
- Фото смартфона ZTE Nubia Z18 показало ультратонкие рамки
- Представлен молодёжный смартфон Xiaomi Mi 8 Lite
- Объявлена российская цена на безрамочный Nokia 5.1 Plus
- В iPhone не будет экранного сканера отпечатков пальцев ещё два года
Свежие комментарии