Samsung начала массовое производство по 10-нм техпроцессу FinFET второго поколения
Компания Samsung Electronics объявила о начале производства однокристальных систем по 10-нанометровому техпроцессу FinFET второго поколения.
Первое поколение 10-нанометрового техпроцесса FinFET используется во флагманских чипах Exynos 8895 и Qualcomm Snapdragon 835. Как отмечает разработчик, техпроцесс 10LPP (Low Power Plus) с улучшенной структурой 3D FinFET позволяет на 10% повысить производительность и на 15% снизить энергопотребление устройств по сравнению с первым поколением 10LPE (Low-Power Early).
Первые устройства на основе 10LPP-процессоров запланированы к выпуску в начале 2018 года. Как ожидается, Samsung Galaxy S9 и Galaxy S9+ станут первыми и на некоторое время единственными смартфонами на базе 10-нанометрового Qualcomm Snapdragon 845. Первая партия нового чипа будет использована в Galaxy S9 для США, а для остальных регионов в основу Galaxy S9 ляжет фирменный 10-нанометровый Exynos 9810.
Похожие записи:
- BlackBerry Motion выходит в продажу в Европе
- Смартфон Nokia 3 начал получать бета-версию Android 8.0 Oreo
- Смартфон Moto Z3 Play засветился на пресс-рендере
- Бразильский регулятор рассекретил подробности о Samsung Galaxy S9 и S9+
- Apple ведёт секретную разработку собственных дисплеев для будущих устройств
- Huawei представила доступный безрамочный смартфон Y7 Prime (2018)
- Флагманские смартфоны Huawei P20 и P20 Plus засветились у китайцев
Свежие комментарии