Samsung начала производство модулей на 512 ГБ для смартфонов
Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства первых в индустрии модулей eUFS объемом 512 гигабайт для мобильных устройств следующего поколения.
Такие модули памяти ориентированы на флагманские смартфоны и планшеты. Встраиваемые модули флеш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) используют 64-слойные 512-гигабитные чипы V-NAND. Как отмечает производитель, они вдвое превышают плотность прошлых модулей eUFS на 256 ГБ с 48-слойными чипами V-NAND, обеспечивая двойную ёмкость при сохранении занимаемого пространства.
Скорость последовательного чтения и записи составляет 860 МБ/с и 255 МБ/с, соотвественно. Для произвольных операций, новые eUFS обеспечивают 42 000 IOPS ( операций ввода-вывода в секунду) при чтении и 40 000 IOPS при записи. Это примерно в 400 раз быстрее скорости в 100 IOPS у обычных карт microSD.
Похожие записи:
- Nokia разрешила ставить неофициальные прошивки на смартфоны
- Что случилось 28 августа 2017 года?
- Китайцы показали безрамочный смартфон Oppo A85
- Смартфон BlackBerry Motion показался на рендере
- Безрамочный Huawei Honor V10 с камерой 16+20 Мп представлен официально
- Huawei готовит складной смартфон
- Samsung рассказал, когда выйдет гибкий смартфон
Свежие комментарии